氮化鎵(GaN)二極管是基于寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵的高頻、高功率器件,其工作原理依托材料特性與異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)設(shè)計,核心是利用二維電子氣(2DEG)實現(xiàn)高效導(dǎo)電與快速開關(guān),以下從結(jié)構(gòu)、核心機(jī)制及工作特性展開說明: 一、核心結(jié)構(gòu):異質(zhì)結(jié)與二維電子氣(2DEG) GaN 二極管的典型結(jié)構(gòu)為AlGaN/GaN 異質(zhì)結(jié),由多層材料堆疊而成: 底層為襯底(常用 SiC 或藍(lán)寶石,提供機(jī)械支撐與散熱...