蘇州摩爾鎵芯半導(dǎo)體科技有限公司的重大突破2024 年 11 月 16 日，蘇州摩爾鎵芯半導(dǎo)體科技有限公司成功斬獲一項名為 “準垂直結(jié)構(gòu) PIN 二極管及其制備方法” 的專利，授權(quán)公告號為 CN118315442B，該專利于 2024 年 4 月提交申請。這一成果不僅是摩爾鎵芯在半導(dǎo)體領(lǐng)域探索道路上的一座新里程碑，更如同點亮了一盞明燈，為未來半導(dǎo)體器件的設(shè)計與制造照亮了新的發(fā)展方向。準垂直結(jié)構(gòu)...

寬禁帶半導(dǎo)體是指禁帶寬度在2.3電子伏特（eV）及以上的半導(dǎo)體材料，典型的例子包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）和金剛石等。這些材料具有高溫、高功率、高頻率等優(yōu)勢，使其在多個領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。主要應(yīng)用領(lǐng)域電力電子器件：寬禁帶半導(dǎo)體在電力電子領(lǐng)域有重要應(yīng)用，包括電源管理、電力控制系統(tǒng)、電力調(diào)節(jié)器和電力變換器等。它們可以支持更高的電壓和更高的頻率，提高電路的性能、效率和可靠性。光電子器...

以SiC/GaN為代表的寬禁帶半導(dǎo)體已逐漸在5G通信、汽車電子、快速充電等方面得到大量應(yīng)用。與此同時，研究人員和相關(guān)企業(yè)仍在研究開發(fā)其他的寬帶隙材料。金剛石、氮化鋁和氧化鎵等具有更寬的禁帶寬度，被稱為超寬禁帶半導(dǎo)體，未來有可能用來制造具有更低電阻、更高工作功率、更高耐溫的功率器件，因此研發(fā)熱度一直不減。近來，持續(xù)有關(guān)于金剛石研發(fā)進展的消息傳出，涉及大尺寸金剛石晶圓制備、金剛石材料的N 型摻雜...

SiC器件正面工藝完成后，需要用到減薄工藝 對襯底進行減薄加工，降低器件的導(dǎo)通電阻。尤 其對于600-1200V的中低壓SiC器件，襯底電阻帶 來的損耗影響了SiC器件的高效使用。同時，襯底 減薄還能降低封裝體積、提升散射效率。常用的 減薄方式包括金剛石砂輪減薄、鑄鐵盤或樹脂鐵 盤研磨、CMP拋光。在這些工藝中，砂輪減薄具有 最高的去除效率和相對穩(wěn)定的精度控制。然而， 由于SiC晶圓和砂輪成...

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中，特別是第三代半導(dǎo)體（寬禁帶半導(dǎo)體）產(chǎn)業(yè)鏈中，會有襯底及外延層之分，那外延層的存在有何意義？和襯底的區(qū)別是什么呢？襯底（substrate）是由半導(dǎo)體單晶材料制造而成的晶圓片，襯底可以直接進入晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件，也可以進行外延工藝加工生產(chǎn)外延片。襯底是晶圓（把晶圓切開，就可以得到一個個的die，再封裝好就成為傳說中的芯片）最底下（其實芯片的最底部一般還會鍍上一層背金，...